Diferencia entre JFET y MOSFET

Ambos son transistores de efecto de campo controlados por voltaje (FET) utilizados principalmente para amplificar señales débiles, en su mayoría señales inalámbricas. Son dispositivos unipolares que pueden amplificar señales analógicas y digitales. Un transistor de efecto de campo (FET) es un tipo de transistor que altera el comportamiento eléctrico de un dispositivo utilizando un efecto de campo eléctrico. Se utilizan en circuitos electrónicos, desde la tecnología RF hasta el cambio y el control de energía hasta la amplificación. Utilizan campo eléctrico para controlar la conductividad eléctrica de un canal. FET se clasifica en JFET (transistor de efecto de campo de unión) y MOSFET (transistor de efecto de campo de semiconductores de óxido de metal). Ambos se utilizan principalmente en circuitos integrados y son bastante similares en los principios operativos, pero tienen una composición ligera y diferente. Comparemos los dos en detalle.

Que es jfet?

JFET es el tipo más simple de transistor de efecto de campo en el que la corriente puede pasar de la fuente para drenar o drenar a la fuente. A diferencia de los transistores de unión bipolar (BJTS), JFET utiliza el voltaje aplicado al terminal de la puerta para controlar la corriente que fluye a través del canal entre los terminales de drenaje y fuente, lo que resulta en que la corriente de salida sea proporcional al voltaje de entrada. El terminal de la puerta está sesgado por reverso. Es un dispositivo semiconductor unipolar de tres terminal utilizado en interruptores electrónicos, resistencias y amplificadores. Anticipa un alto grado de aislamiento entre entrada y salida, lo que lo hace más estable que un transistor de unión bipolar. A diferencia de BJTS, la cantidad de corriente permitida está determinada por una señal de voltaje en un JFET.

Generalmente se clasifica en dos configuraciones básicas:

• JFET de canal N - La corriente que fluye a través del canal entre el drenaje y la fuente es negativa en forma de electrones. Tiene menor resistencia que los tipos de canales P.
• Jfet de canal P - La corriente que fluye aunque el canal es positivo en forma de agujeros. Tiene mayor resistencia que sus contrapartes de canales N.

¿Qué es Mosfet??

MOSFET es un transistor de efecto de campo semiconductor de cuatro terminal fabricado por la oxidación controlada de silicio y donde el voltaje aplicado determina la conductividad eléctrica de un dispositivo. MOSFET significa transistor de efecto de campo semiconductor de óxido de metal. La puerta que se encuentra entre la fuente y los canales de drenaje está aislado del canal por una capa delgada de óxido de metal. La idea es controlar el flujo de voltaje y corriente entre los canales de fuente y drenaje. Los MOSFET juegan un papel vital en los circuitos integrados debido a su alta impedancia de entrada. Se usan principalmente en amplificadores e interruptores de potencia, además juegan un papel fundamental en el diseño de sistemas integrados como elementos funcionales.

Generalmente se clasifican en dos configuraciones:

• Modo de departamento MOSFET - Los dispositivos normalmente están "encendidos" cuando el voltaje de puerta a fuente es cero. El voltaje de la aplicación es más bajo que el voltaje de drenaje a la fuente
• Modo de mejora MOSFET - Los dispositivos normalmente están "apagados" cuando el voltaje de puerta a fuente es cero.

Diferencia entre JFET y MOSFET

Conceptos básicos de FET y Mosfet

Tanto JFET como MOSFET son transistores controlados por voltaje utilizados para amplificar señales débiles tanto analógicas como digitales. Ambos son dispositivos unipolares pero con una composición diferente. Mientras que JFET representa el transistor de efecto de campo de la Junction, MOSFET es la abreviatura de Transistor de efecto de campo de semiconductores de óxido de metal. El primero es un dispositivo semiconductor de tres terminales, mientras que el segundo es un dispositivo semiconductor de cuatro terminales.

Modo de funcionamiento de FET y MOSFET

Ambos tienen menos valores de transconductancia en comparación con los de los transistores de unión bipolar (BJTS). Los JFET solo se pueden operar en modo de agotamiento, mientras que MOSFETS puede funcionar tanto en modo de agotamiento como en modo de mejora.

Impedancia de entrada en FET y MOSFET

Los JFET tienen una alta impedancia de entrada en el orden de 1010 ohmios, lo que los hace sensibles a las señales de voltaje de entrada. Los MOSFET ofrecen una impedancia de entrada aún mayor que la JFETS, lo que los hace mucho más resistentes en el terminal de la puerta, gracias al aislador de óxido de metal.

Corriente de fuga de puerta

Se refiere a la pérdida gradual de energía eléctrica causada por dispositivos electrónicos incluso cuando están apagados. Mientras que los JFET permiten la corriente de fuga de la puerta del orden de 10^-9 A, la corriente de fuga de la puerta para MOSFETS será del orden de 10^-12 A.

Resistencia al daño en FET y MOSFET

Los MOSFET son más susceptibles al daño por la descarga electrostática debido al aislador adicional de óxido de metal que reduce la capacitancia de la puerta, lo que hace que el transistor sea vulnerable a los daños de alto voltaje. Los JFET, por otro lado, son menos susceptibles a los daños por ESD porque ofrecen una mayor capacidad de entrada que MOSFETS.

Costo de FET y MOSFET

Los JFET siguen un proceso de fabricación simple y menos sofisticado que los hace relativamente más baratos que MOSFET, que son caros debido al proceso de fabricación más complejo. La capa adicional de óxido de metal agrega un poco al costo total.

Aplicación de FET y MOSFET

Los JFET son ideales para aplicaciones de bajo ruido, como interruptores electrónicos, amplificadores de búfer, etc. Los MOSFET, por otro lado, se utilizan principalmente para aplicaciones de alto ruido, como conmutación y amplificación de señales analógicas o digitales, además de que también se utilizan en aplicaciones de control de motor y sistemas integrados.

JFET VS. MOSFET: Tabla de comparación

Resumen de FET VS. Mosfet

JFET y MOSFET son los dos transistores de efecto de campo más populares comúnmente utilizados en circuitos electrónicos. Tanto JFET como MOSFET son dispositivos semiconductores controlados por voltaje utilizados para amplificar las señales débiles utilizando un efecto de campo eléctrico. El nombre en sí sugiere los atributos del dispositivo. Si bien comparten atributos comunes correspondientes a la amplificación y el cambio, tienen su parte justa de las diferencias. JFET se opera solo en modo de agotamiento, mientras que MOSFET se opera tanto en modo de agotamiento como en modo de mejora. Los MOSFET se utilizan en circuitos VLSI debido a su costoso proceso de fabricación, contra los JFET menos costosos que se utilizan principalmente en aplicaciones de señales pequeñas.